光刻胶涂覆方法
目前在晶片制作的光刻工艺流程中，会使用光刻胶涂覆在晶片的特定区域，并进行烘烤定型，在后续工艺中对这一特定区域进行保护，对没有光刻胶涂覆的区域进行曝光、刻蚀，从而在晶片上形成有效图形窗口或功能图形。
一般光刻胶是用涂胶机滴到晶片上，旋转晶片使光刻胶涂布均匀，这种工艺用在表面平坦的晶片上，基本能满足要求。然而，若是晶片表 面不平整，即晶片上有凸点，涂覆光刻胶之后，晶片上凸点所涂覆的光刻胶则会较其他部位薄，即使经过烘烤定型，在后续的工艺中，也有可能不能良好地保护位于其下方区域的晶片，让其遭到曝光和蚀刻损害，所形成的图形也会造成误差。
使用超声波光刻胶涂覆方法能够解决上述问题，超声波光刻胶涂覆机使用特定的喷头和360可旋转的机械结构，能够均匀涂覆于晶片表面，无论是凸点还是凹糟都会均匀覆盖，且超声喷涂雾化液滴极细再配上超声波光刻胶涂覆机的烘干功能，边涂覆边烘干定型，在后续的工艺中，光刻胶能够更好地保护其下方 的晶片部分。
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