在半导体芯片制造领域，随着晶圆尺寸的增大及多层金属互联技术的应用，化学机械平坦化（CMP）成为一种不可或缺的实现表面全局平坦化的技术。在 CMP 制程中，由于化学反应及抛光液中研磨微粒的存在，必然会引入表面玷污，因此在晶片表面全局平坦化之后必需进行有效清洗。 典型的 CMP 后清洗制程包括兆声清洗、刷洗、旋转干燥等，兆声清洗作为其中关键一环，其清洗效果的好坏影响最终的晶圆清洗效果。

贴合式兆声清洗系统兆声波清洗技术不仅保存了超声波清洗技术的各项优点， 而且还克服了它的一些不足兆声波清洗技术的机理是由化学清洗剂的化学反应并结合高频振效应对硅片进行清洗。至今兆声波清洗方法已成为抛光片清洗中应用最广泛有效的一种方法。一般兆声清洗适于清除的颗粒大小为0.1~0.3 μm，超声清洗适于清除的颗粒大小在 0.4 μm 以上。兆声清洗的作用更加温和。因此应根据需要去除的颗粒大小及晶圆表面器件能承受的冲击力，选用合适的振动频率。