在半导体芯片制造领域，随着晶圆尺寸的增大及多层金属互联技术的应用，化学机械平坦化（CMP）成为一种不可或缺的实现表面全局平坦化的技术。在 CMP 制程中，由于化学反应及抛光液中研磨微粒的存在，必然会引入表面玷污，因此在晶片表面全局平坦化之后必需进行有效清洗。 典型的 CMP 后清洗制程包括兆声清洗、刷洗、旋转干燥等，兆声清洗作为其中关键一环，其清洗效果的好坏影响最终的晶圆清洗效果。

喷淋式兆声喷头清洗的原理是主要由于声压梯度、粒子速度及声流的作用，而空化效应是次要的，由高能频振效应并结合化学清洗剂的化学反应对硅片进行清洗的。清洗时不形成超声波清洗那样的气泡，而是利用高频声波能量在清洗液中形成的高速微水流连续冲击晶片表面，使物体表面附着的表面小于0.2μm污染物和细小颗粒被强制除去并进入到清洗液中。