喷涂膜电极氧化铱 （IrO₂） 超声波喷涂膜电极氧化铱（IrO₂）：重塑行业生产标准的革新力量 在电化学能源、氯碱工业等领域，膜电极氧化铱（IrO₂）以其优异的催化性能和稳定性成为关键材料。然而，传统制备工艺在效率、成本与环保性上的局限，制约着产业发展。超声波喷涂技术凭借自主研发的创新工艺，为膜电极氧化铱（IrO₂）的生产带来革命性突破。 传统的膜电极氧化铱制备多采用间歇式涂布，不仅生产效率低下，难以满足市场快速增长的需求，而且浆料浪费严重，成本居高不下。而超声波喷涂技术推出的连续化双面卷对卷直涂工艺，彻底改写了行业生产格局。设备以 [...]

中国光刻胶发展趋势 光刻胶作为半导体制造的核心基础材料，其性能直接关联芯片性能指标与制造良率水平。近年来，中国半导体产业的快速崛起为光刻胶行业创造发展契机，但产业升级进程中仍面临多重挑战，尤其在高端光刻胶领域与国际先进水平存在显著技术代差。 中国光刻胶产业链呈现上游原料集中化、中游技术分层化、下游需求驱动化的格局：上游关键原材料70%以上依赖进口供应，中游企业已实现KrF光刻胶的规模化生产，但ArF光刻胶仍处于客户工艺验证阶段；下游晶圆制造产能扩张催生需求激增，而长周期的供应商认证机制形成"技术壁垒-市场准入"的双向制约。 尽管存在技术壁垒，中国企业在研发创新层面已取得阶段性突破。某企业与专业科研机构合作的ArF干法光刻胶项目，已完成28nm制程的工艺验证，预计2025年进入主流晶圆厂供应链体系；另一行业领先企业依托国家科技专项，建成中国首条EUV光刻胶中试生产线，计划2026年完成全流程工艺验证。这些技术突破为高端光刻胶的产业化奠定了关键基础。 展望未来，中国光刻胶市场将形成差异化发展格局：在28nm以上成熟制程领域，有望实现较高水平的自主供应；企业将加强与设备厂商的联合研发，开发适配先进制程的定制化材料体系。随着重大技术攻关项目的推进，预计2025年中国光刻胶市场需求缺口将扩大至百亿元级别。政策层面，国家新材料专项规划已将光刻胶列入重点攻关清单，并加大对产业链关键环节的资金扶持力度。通过技术创新迭代、产业协同发展和政策精准赋能，中国光刻胶行业有望突破高端领域瓶颈，为半导体产业自主可控发展提供核心材料支撑。 [...]

喷涂绝缘油墨 喷涂绝缘油墨 - 特氟龙涂层绝缘 - [...]

实验室喷涂电解水制氢催化剂膜电极 实验室喷涂电解水制氢催化剂膜电极 - 驰飞超声波喷涂 在新能源技术研发领域，电解水制氢凭借其环保、可持续的特性，成为获取清洁能源的重要途径。而催化剂膜电极作为电解水制氢设备的核心组件，其制备工艺直接影响制氢效率与成本。在实验室环境下，传统制备方法面临诸多挑战，超声波喷涂技术以创新工艺为电解水制氢催化剂膜电极的制备带来全新突破。 [...]

特殊球囊简单介绍 近年来，一类具备精准力学传导特性的新型球囊器械（如棘突球囊、导丝支撑型球囊、刻痕球囊及切割球囊等）逐步应用于临床，这类器械通过优化压力分布设计，显著提升了复杂冠状动脉病变的预处理效果，为提高手术即刻成功率及改善患者远期预后提供了新路径。在冠脉支架植入术流程中，球囊预扩张是关键环节，其通过机械性挤压作用使动脉粥样硬化斑块产生可控性破裂，以扩大血管管腔内径。然而，面对纤维化程度高或钙化负荷重的复杂病变，传统球囊常因扩张效能不足，导致支架输送障碍、膨胀不全或贴壁不良，进而增加支架脱载、术后再狭窄及血栓形成等并发症风险。 压力聚焦球囊相较于传统球囊，在复杂病变处理中展现出多维度临床优势： 一、纤维化斑块与钙化病变的精准预处理 在应对弹力纤维密集的纤维性斑块及坚硬钙化病变时，传统球囊面临扩张阻力大、血管损伤风险高的难题（如冠脉撕裂、穿孔及无复流等）。新型球囊通过物理性切割机制（如微型切割元件）或棘突结构锚定病变，实现纤维组织离断与钙化环碎裂，同时通过优化压力传导减少弹性回缩，显著提升支架植入后的管腔获得率。在缺乏冠状动脉旋磨设备的医疗场景中，这类器械可作为替代性解决方案，实现等效扩张效果。 [...]

喷涂2UM光刻胶 超声波喷胶机：精准 喷涂2UM光刻胶 ，重塑精密制造新高度 在半导体芯片制造、微机电系统（MEMS）等精密制造领域，光刻胶的喷涂精度是决定产品性能与良品率的关键因素。对于仅 [...]

超声波镜头镀膜技术 超声波镜头镀膜技术 : 开启光学镀膜的精准新时代 在摄影与光学领域，镜头镀膜技术的革新始终是提升成像品质的核心动力。当传统镀膜工艺面临精度瓶颈时，超声波镜头镀膜技术以其颠覆性的原理和卓越性能，正在重塑光学行业的标准。本文将深入解析这一前沿技术的原理、优势及实际应用场景，揭开其 [...]

光刻胶质量指标 光刻胶的性能直接影响晶圆图形化加工的精度、效率与工艺稳定性，其核心质量指标涵盖痕量离子杂质、颗粒污染、水分含量、流变特性、成膜质量、溶解行为及固形物含量等多维理化参数。 一、痕量离子杂质控制 集成电路制造对光刻胶纯度提出极高要求，尤其是金属离子的精准管控。在先进制程中，光刻胶、显影液及配套溶剂的无机非金属离子与金属杂质需控制在ppb级别，该指标监测已成为半导体产业链的关键质控环节。以光刻胶技术迭代为例，从g线到i线阶段，Na⁺、Fe²⁺、K⁺等金属杂质含量从10⁻⁷量级降至10⁻⁸量级。 随着制程节点进入10nm以下，极紫外（EUV）光刻技术对离子杂质更为敏感：碱金属（Li、Na、K）与碱土金属（Ca）可能引发器件漏电或击穿，过渡金属及重金属（Fe、Cr、Ni、Cu、Mn、Pb、Au）则会缩短元件寿命。除金属离子外，F⁻、Cl⁻、Br⁻、I⁻、NO₃⁻、SO₄²⁻、PO₄³⁻、NH₄⁺等非金属离子杂质亦需严格监控，一般采用离子色谱仪进行定量分析。 [...]

石墨红外涂层均匀喷涂工艺 石墨红外涂层均匀喷涂工艺 - 超声波薄膜喷涂设备 - [...]

超声波喷涂导电陶瓷元件 超声波喷涂导电陶瓷元件 - 导电涂层制备 - [...]