光刻工艺总结:
l.光学光刻技术是一种图形化工艺,它使用紫外线将光刻版或倍縮光刻版上设计的图形转移到暫时涂敷在品表面的光刻胶上。
2.正光刻胶紫外线光后会变成可溶性的;负光刻会因为聚合物交联作用而成为不可溶性的。正光刻胶因为有较高的分辨率而较常使用。
3.工光刻餃由聚合、感光剂、溶剂和添加剂组成。
4。基本的光学光刻工艺流程为:磊清洗、预烘烤和HMOS底漆层涂、光刻胶自旋涂敷、软烘烤、对准与曝光,曝光后烘烤,去除光学边缘小珠、显影、崆烘烤和图形检测,
5.晶圆清洗可以减少污染并改善光刻胶的附着力到在
6.预烘烤可以去除晶圆表面的水气,HMDS底漆层簿模可以帮助光刻胶黏附在晶岡表面。
7.对流恒温考箱、红外线烤箱、微波烤箱和加热平板可以用于烘烤工艺。加热平板在先进的半导体工厂中最常使用。
8.自旋涂是最常使用的光刻胶涂敷工艺。光刻胶厚度和均匀性与自旋转速、自旋转速增加方式。
9.光刻胶厚度、均匀性与自旋转速度、自旋转速度增加方式、光刻胶温度、晶圆稳度、空气流速度和气体温度有关。
10.烘烤会将光刻餃内的大部分溶剂去除并使其变成固体。
11.软烘烤工艺中的过度烘烤会使光刻狡聚合,并影响曝光感光度。
12,软烘烤工艺中的烘烤不足会因过量的溶剂而造成模糊不清的图像,且在刻蚀或离子注入工艺中造成光刻胶剥离。
13.接式曝光机,接近式曝光机,投影式曝光机和步进机用于曝光系统的对准。步进机的分辨率最高,所以在先进半导体工艺中最常使用。
14.由于光刻胶分子受热移动,所以曝光后烘烤可以缓解驻波效应。
15.显影削在显影工艺中会溶解曝光的正光刻胶。显影工艺对温度非常敏感。16.硬烘烤会将残余的溶剂从光刻餃中驱除,改善刻浊和离子注入的抵抗力,以及光刻胶的附着力。烘烤不足会使光刻胶在刻蚀工艺过程中损失;过度烘烤会引起光到流动并影啊分辨率。
17.烘烤、涂敷和显影工艺通常与晶圆轨道系统配套在一起进行,该糸统与步迅机整合在一起。IC制造中通常使用的波长为ArF 193nm。
19.结合浸入式光刻和双面或多面图形化鼓术将光学光刻发展应用于22nm技术节点,而且可以扩展到16nm节点或更小。虽然光学光刻技术有极限,但图形化没有极限。
20.ELV、EBDW光刻鼓术和NIL技术是下一代光刻技术的候选。
21.EUV光刻技术可以在将来关踺图形化工艺中取代光学光刻技术,最有可能首先用于22nm NAND存储器的接触层图形化。
超声波喷涂技术用于半导体光刻胶涂层。与传统的旋涂和浸涂工艺相比,它具有均匀性高、微观结构良好的封装性和可控制的涂覆面积大小等优点。在过去的十年中,已经充分证明了采用超声喷涂技术的3D微结构表面光刻胶涂层,所制备的光刻胶涂层在微观结构包裹性和均匀性方面都明显高于传统的旋涂。
超声波喷涂系统可以精确控制流量,涂布速度和沉积量。低速喷涂成形将雾化喷涂定义为精确且可控制的模式,以在产生非常薄且均匀的涂层时避免过度喷涂。超声喷涂系统可以将厚度控制在亚微米到100微米以上,并且可以涂覆任何形状或尺寸。