光刻胶壁垒
光刻胶壁垒 – 超声精密喷涂 – 光刻胶涂布设备 – 驰飞超声波喷涂
1. 探寻光刻技术：源于印刷术
光刻技术是利用光化学反应原理和化学、无力刻蚀方法将掩模版上的图案传递到晶圆的工艺技术。 光刻的原理起源于印刷技术中的照相制版，与印刷术不同，光刻工艺并非使用油 墨为介质，而是借助光敏物质在受到光照(曝光)后发生的化学变化，完成这一信息的转移。
光刻技术按曝光光源主要分为光学光刻和粒子束光刻(常见的粒子束光刻主要有X射线、电 子束和离子束光刻等)。其中光学光刻是目前最主要的光刻技术，在未来几年仍占主流地位。
在摩尔定律的引领下，光学光刻技术经历了接触/接近、等倍投影、缩小步进投影、步进扫描投影等曝光方式的变革。随着集成电路器件尺寸不断缩小，芯片运算速度以及集成度不断提高，对光刻技术曝光分辨率提出 了更高要求。
2. 光刻胶简介：技术密集型产业
光刻胶又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。光刻胶目前被广泛用于光电信息产业的微细图形线路加工 制作，约占IC制造材料总市场的6%，是重要的半导体材料。光刻胶是电子化学品中技术壁垒最高的材料， 具有纯度要求高、生产工艺复杂、技术积累期 长等特征。
3. 光刻胶原材料
光刻胶由成膜树脂（聚合剂）、光引发剂、溶剂及添加剂构成。成膜树脂用于将光刻胶中不同材料聚合在一起，构成光刻胶的骨架， 决定光刻胶的硬度、柔韧性、附着力等基本属性。光引发剂包括光增感剂和光致产酸剂，是光刻胶的关键成分，对光刻 胶的感光度、分辨率起着决定性作用。
溶剂是光刻胶中最大成分，目的是使光刻胶处于液态，但溶剂本身对 光刻胶的化学性质几乎没影响。 添加剂包括单体和其他助剂等，单体对光引发剂的光化学反应有调节 作用，助剂主要用来改变光刻胶特定化学性质。
数据显示，树脂占光刻胶总成本的 50%，在光刻胶原料中占比最大，其次是 占 35%的单体和占15%的光引发剂及其他助剂。对于高端光刻胶，树脂所占成本比例更高。
4. 光刻胶检测、生产所需设备
由于不同半导体光刻胶从适用波长、 配方、原材料品质等方面各不相同， 其生产设备及检测设备也不相同。
反应釜为光刻胶主要生产设备，g/i线 光刻胶生产设备为不锈钢反应釜，而 KrF和ArF光刻胶均为衬氟反应釜。
ArF光刻胶项目所涉及的检测设备包括光刻机、CDSEM、涂胶显影机 、亮场缺陷扫描仪、缺陷分析设备、 气体颗粒仪等。
5. 光刻胶分类：正性光刻胶和负性光刻胶
根据化学反应机理，光刻胶可分为负性光刻胶和正性光刻胶两类。二者在PCB、面板、半导体中都有广泛应用，但由于负性光刻胶显影时易变形和膨胀，分辨率通常只能达到2微米，因此正性光刻胶的应用更为普及，占光刻胶总量80%以上。ArF光刻胶和EUV光刻胶基本都是正胶。正性光刻胶是指在光刻工艺中，涂层经曝光、显影后，曝光 部分在显影液中溶解而未曝光部分保留下来形成图像的光刻 胶。负性光刻胶与正性光刻胶相反，其中被溶解的是未曝光部分，而曝光部分形成图像。
6. 光刻胶技术壁垒概述
光刻胶是电子化学品中技术壁垒最高的材料，具有纯度要求高、生产工艺复杂、生产及检测等设备投资大、技术积累期长等特征。从相关技术来看，光刻胶的核心技术包括配方技术、质量控制技术和原材料技术，配方技术是光刻胶实现功能的核心，而质量控制技术能够保证 光刻胶性能的稳定性，而光刻胶原材料的品质对光刻胶的质量起着关键作用。
7. 光刻胶客户壁垒：壁垒极高，认证周期长
光刻胶方面，根据行业惯例，在光刻胶供货前，一般会经过光刻胶产品的验证及工厂（产线）资质的验 证，其中光刻胶验证根据验证阶段分为 PRS（光刻胶性能测试）、STR(小试)、MSTR(批量验证）及 Release（通过验证）；工厂（产线）资质验证方面，主要在质量体系、供货稳定性、工厂（产线）产能等 几方面进行验证。在工厂（产线）资质验证通过以及产品验证通过后，可实现对客户的正式供货。验证周期通常为6-24个月。
光刻胶单体的验证主要流程为：生产商向潜在客户研发样品送样，客户测试各项质量指标并合成树脂后进行验证；产品验证通过后，进行验厂质量体系认证；最后进行中试级别产品订单验证。光刻胶单体验证周期通常为6-24个月。
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