光刻胶涂覆方法

目前在晶片制作的光刻工艺流程中,会使用光刻胶涂覆在晶片的特定区域,并进行烘烤定型,在后续工艺中对这一特定区域进行保护,对没有光刻胶涂覆的区域进行曝光、刻蚀,从而在晶片上形成有效图形窗口或功能图形。

一般光刻胶是用涂胶机滴到晶片上,旋转晶片使光刻胶涂布均匀,这种工艺用在表面平坦的晶片上,基本能满足要求。然而,若是晶片表 面不平整,即晶片上有凸点,涂覆光刻胶之后,晶片上凸点所涂覆的光刻胶则会较其他部位薄,即使经过烘烤定型,在后续的工艺中,也有可能不能良好地保护位于其下方区域的晶片,让其遭到曝光和蚀刻损害,所形成的图形也会造成误差。

光刻胶涂覆方法 - 超声波喷涂机 - 超声波涂敷 - 杭州驰飞

使用超声波光刻胶涂覆方法能够解决上述问题,超声波光刻胶涂覆机使用特定的喷头和360可旋转的机械结构,能够均匀涂覆于晶片表面,无论是凸点还是凹糟都会均匀覆盖,且超声喷涂雾化液滴极细再配上超声波光刻胶涂覆机的烘干功能,边涂覆边烘干定型,在后续的工艺中,光刻胶能够更好地保护其下方 的晶片部分。