晶圆制造刻蚀技术
晶圆制造刻蚀技术 – 聚酰亚胺喷涂 – 聚酰亚胺薄膜技术 – 驰飞超声波喷涂
干法刻蚀是芯片制造领域最主要的表面材料去除方法，拥有更好的剖面控制。干刻蚀法按作用机理分为：物理刻蚀、化学刻蚀和物理化学综合作用刻蚀。物理和化学综合作用机理中，离子轰击的物理过程可以通过溅射去除表面材料，具有很强的方向性。离子轰击可以改善化学刻蚀作用，使反应元素与硅表面物质反应效率更高。综合型干刻蚀法综合离子溅射与表面反应的优点，使刻蚀具有较好的选择比和线宽控制。
在集成电路制造过程中需要多种类型的干法刻蚀工艺，应用涉及硅片上各种材料。被刻蚀材料主要包括介质、硅和金属等，通过与光刻、沉积等工艺多次配合可以形成完整的底层电路、栅极、绝缘层以及金属通路等。
介质的干法刻蚀主要包括氧化物刻蚀和氮化硅的刻蚀，是最复杂的刻蚀过程。刻蚀氧化物通常是为了制作接触孔和通孔。要求在氧化物中刻蚀出具有高深宽比的窗口，通常采用氟碳化合物化学气体。对氮化硅的刻蚀常用的气体是，并与和混合使用。
硅的等离子体干法刻蚀是硅片制造中的一项关键工艺技术，主要作用为制作MOS栅结构、器件隔离和DRAM电容结构中的单晶硅槽。多晶硅栅的结构对刻蚀要求很高，必须对下层栅氧化层有高的选择比并具有非常好的均匀性和可重复性。多晶栅刻蚀通常采用氟基气体。单晶硅刻蚀主要用于制作沟槽，要求每个沟槽都要保持一致的光洁度、接近的垂直侧壁、正确的深度和圆滑的沟槽顶角和底角。对浅槽的刻蚀使用氟气，对光刻胶有高选择比。对深槽刻蚀常采用氯基或溴基气体，刻蚀速率高并对氧化硅有高的选择比。
金属刻蚀主要应用于金属互连线、通孔、接触金属等环节。金属互连线通常采用铝合金，对铝的刻蚀采用氯基气体和部分聚合物。钨在多层金属结构中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基气体。
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超声喷涂系统可以使用先进的喷涂技术来精确控制流速、镀膜速度和沉积量。低速喷涂成型将雾化喷涂定义为精确，可控的图案，在生产非常薄且均匀的涂层时避免过度喷涂。事实证明，使用超声波技术进行喷涂是在3D微结构上沉积光致抗蚀剂的可靠且有效的方法，从而减少了由于过多的金属暴露于蚀刻剂而导致的设备故障。
超声波喷涂系统已被证明适用于需要均匀、可重复的光致抗蚀剂或聚酰亚胺薄膜涂层的各种应用。杭州驰飞的喷涂系统可以控制从亚微米到100微米以上的厚度，并且可以涂覆任何形状或尺寸。它是其他涂层技术（例如旋涂和传统喷涂）的可行替代方案。
