硅基和碳化硅基对比
硅基和碳化硅基对比 第一、二、三、四代半导体材料各有利弊,并无绝对的替代关系,而是在特定的应用场景中存在各自的比较优势。这应该是建立的一个常识认知。以下材料的性能对比: 硅属于半导体材料,其自身的导电性并不是很好。然而,可以通过添加适当的掺杂剂来精确控制它的电阻率。制造半导体前,必须将硅转换为晶圆片(wafer)。这要从硅锭的生长开始。单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体,这种模式贯穿整个材料。多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的,不能用来做半导体电路。多晶硅必须融化成单晶体,才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。加工硅晶片生成一个硅锭要花一周到一个月的时间,这取决于很多因素,包括大小、质量和终端用户要求。超过75%的单晶硅晶圆片都是通过Czochralski(CZ,也叫提拉法)方法生长的。 至于碳化硅,与硅相比,碳化硅拥有更为优越的电气特性:①耐高压:击穿电场强度大,是硅的 10 [...]