一文读懂光刻胶
一文读懂光刻胶 在半导体工艺制程中,由于经常需要制备复杂的微结构,可能每一次光刻的需求都天差地别,有时需要正性光刻胶提升分辨率,有时需要负性的光刻胶做剥离(Lift-off),有时需要厚的光刻胶做深槽刻蚀。那么它们是如何满足这些需求的?经常使用的光刻胶有哪些,以及它们的原理是什么? 正胶 正胶成分:通常正胶主要由光敏剂、树脂和溶剂组成。市场上的光刻胶体系有很多,我们以常规DQN双组分体系正性光刻胶为例,以便理解。其主要有三部分组成:酚醛树脂(Novolac)、光敏剂重氮醌(DQ)、二甲苯(溶剂)。 曝光原理:DQ体系利用的是Wolff重排反应,其中DQ中的α-重氮醌在光照下放出氮气和醌自由基,再发生1,2-重排反应生成醌酮,然后在水的作用下,酮基进一步转化为羧基,可以与碱性显影液发生酸碱反应,加速溶解。最终,曝光的区域显影速度快,实现正胶图形化。 [...]