碳化硅制备流程
碳化硅制备流程 第一步原料生成,将高纯硅粉和高纯碳粉按工艺配方均匀混合,在2,000℃以上的高温条件下,于反应腔室内通过特定反应工艺,去除反应环境中残余的、反应微粉表面吸附的痕量杂质,使硅粉和碳粉按照既定化学计量比反应合成特定晶型和颗粒度的碳化硅颗粒。再经过破碎、筛分、清洗等工序,制得满足晶体生长要求的高纯度碳化硅粉原料。 第二晶体生长,在2,300°C以上高温、接近真空的低压下加热碳化硅粉料,使其升华产生包含Si、Si2C、SiC2等不同气相组分的反应气体,通过固-气反应产生碳化硅单晶反应源;由于固相升华反应形成的Si、C成分的气相分压不同,Si/C化学计量比随热场分布存在差异,需要使气相组分按照设计的热场和温梯进行分布和传输,使组分输运至生长腔室既定的结晶位置; 第三晶锭加工将碳化硅晶锭使用X射线单晶定向仪进行定向,之后通过精密机械加工的方式磨平、滚圆,加工成标准直径尺寸和角度的碳化硅晶棒。对所有成型晶棒进行尺寸、角度等指标检测。 第四晶棒切割在考虑后续加工余量的前提下,使用金刚石细线将碳化硅晶棒切割成满足客户需求的不同厚度的切割,并使用全自动测试设备进行翘曲度(Warp)、弯曲度(Bow)、厚度变化(TTV)等面型检测。 [...]


