光刻胶介绍
光刻胶介绍 光刻胶(亦称光致抗蚀剂)是一类对辐射敏感的功能性薄膜材料,在紫外光、电子束、离子束或X射线等辐射源的作用下,其溶解特性会发生定向改变。这种材料本质上是以树脂为基质,复配感光剂、溶剂及添加剂的光敏性混合液体,在光刻工艺中作为抗腐蚀涂层实现图形转移功能。 其中,光刻胶树脂作为惰性高分子基底,承担着粘结体系内各组分的作用。该组分主导了光刻胶的力学性能与化学稳定性,包括附着力、胶膜厚度及柔韧性等关键参数。值得注意的是,树脂本身对光不具备响应性,曝光过程中不会发生化学结构变化。感光剂则是光刻胶的光敏核心组分,在光辐射作用下会触发特异性化学反应,是实现光刻图形从掩模版向基底转移的决定性要素。溶剂的主要功能是维持光刻胶在旋涂工艺前的液态流动性,且大部分溶剂会在曝光前通过挥发去除,不影响材料的化学特性。添加剂的引入则用于精准调控光刻胶的化学行为与光反应特性,优化工艺适配性。 在光刻投影环节,通过光学系统将掩模版上的图形转印至光刻胶薄膜表面,经光化学反应、热处理、显影等工艺步骤,完成图形从掩模到胶层的转移。形成的光刻胶图形作为后续工艺的防护层,可对刻蚀、离子注入等工序起到区域选择性阻挡作用。 光刻胶的技术演进与光刻工艺的发展深度耦合。随着集成电路制程对特征尺寸微缩的持续需求,通过缩短曝光光源波长以提升分辨率成为核心技术路径。光刻技术按照曝光光源的波长划分,经历了从436nm的g线、365nm的i线,到248nm氟化氪(KrF)、193nm氟化氩(ArF)准分子激光,再到当前波长小于13.5nm的极紫外(EUV)光刻的迭代升级,推动集成电路制造水平不断突破物理极限。 [...]


