AZ系列光刻胶深度解析 : 探秘光刻胶领域的中坚力量
在光刻工艺的核心材料体系中，AZ系列光刻胶占据着举足轻重的地位，凭借其优异性能，成为众多科研与生产场景的优选材料。该系列光刻胶专为i线、G线光刻精心设计，在紫外光源照射下，分子结构会发生特定变化，从而精准实现图案从掩膜版到基底的转移，充分满足多样化的工艺需求。根据性能与应用场景的差异，AZ系列光刻胶可细分为正胶、负胶以及正负转换胶三大类别。
一、AZ正胶：多样化选择满足不同厚度需求
AZ正胶依据胶层厚度，可进一步划分为正厚胶与正薄胶，以5um作为二者的区分界限，不同类型在各类光刻工艺中发挥着独特作用。
1. 正厚胶：构建复杂结构的得力助手
AZ 3DT – 102M – 15、AZ 10XT、AZ 12XT等正厚胶产品，在需要形成较厚光刻胶层的工艺中表现出色。例如在微机电系统（MEMS）制造中，这些光刻胶能够用于构建具有一定高度的微结构，为后续的蚀刻、沉积等工艺提供良好的掩蔽保护 。像AZ 4533、AZ 4562等型号，凭借其稳定的化学性能，在光刻过程中能够保持良好的图形保真度，即使面对复杂的曝光与显影流程，也能确保图案的精准复刻，常用于对精度要求较高的厚膜光刻工艺。
2. 正薄胶：高精度光刻的理想之选
AZ 1505、AZ 1512 HS、AZ 1514 H等正薄胶，适用于对胶层厚度要求较薄、精度要求极高的场景。在半导体集成电路制造的某些关键光刻步骤中，薄胶能够实现更精细的图案转移，满足先进制程对微小化、高精度的需求。例如AZ MIR 701、AZ ECI 3007等型号，具有良好的涂布均匀性和分辨率，能够在晶圆表面形成均匀且超薄的光刻胶层，为后续精确的图形化加工奠定基础。
二、AZ负胶：独特性能应对特殊工艺需求
AZ负胶如AZ 125nXT、AZ 15nXT (115CPS)、AZ nLof 2020等，其成像原理与正胶相反。在曝光过程中，负胶的曝光区域会发生交联反应，形成不溶于显影液的稳定结构，而未曝光区域则被溶解去除 。这种特性使得AZ负胶在一些对图形侧壁陡度要求较高、需要形成坚固掩蔽层的工艺中具有独特优势。例如在制作深沟槽、高深宽比结构时，负胶能够提供良好的抗蚀刻性能，确保结构在后续蚀刻过程中保持稳定，常用于功率器件、传感器等制造领域。
三、正负转换胶：灵活转换拓展应用边界
AZ 5209 E、AZ 5214 E等正负转换胶，打破了传统光刻胶正性或负性的固定模式，赋予工艺更多灵活性。这类光刻胶在特定条件下，能够实现从正性到负性或从负性到正性的转变。例如在一些复杂的多层光刻工艺中，通过控制曝光剂量、显影条件等参数，正负转换胶可以根据设计需求，选择性地保留或去除特定区域的光刻胶，从而实现更复杂的图案设计 。此外，像TI 35 E、TI 35ESX等产品，在一些特殊材料的光刻加工中，能够通过性能转换，更好地适应不同材料表面的特性，拓展了光刻胶的应用范围。
AZ系列光刻胶凭借丰富的产品类型和卓越的性能，在光刻领域占据着重要地位。无论是科研探索中的创新工艺开发，还是生产制造中的大规模应用，不同类型的AZ光刻胶都能为用户提供合适的解决方案。随着光刻技术的不断进步，AZ系列光刻胶也将持续升级优化，为半导体、微纳制造等行业的发展提供有力支撑。
关于驰飞
驰飞的解决方案是环保、高效和高度可靠的，可大幅减少过量喷涂，节省原材料，并提高均一性、转移效率、均匀性和减少排放。为企业提供围绕功能涂层的全套解决方案及长期技术支持，保证客户涂层稳定量产；针对特殊器械涂层需求，提供涂层定制研发服务；提供各类涂层代工服务。
杭州驰飞是超声镀膜系统开发商和制造商，产品主要应用于燃料电池质子交换膜喷涂、薄膜太阳能电池、钙钛矿、微电子、半导体、 纳米新材料、玻璃镀膜、 生物医疗、纺织品等领域。
