芯片制造的核心感光基石，国产全场景光刻胶一站式交付

光刻胶被誉为半导体制造的液体黄金，是将电路版图精准转移至晶圆、陶瓷、玻璃等基材的核心感光材料，贯穿芯片、MEMS、功率器件、先进封装、显示面板全产业链制程。

伴随国内成熟制程、微纳传感、射频陶瓷器件、高校科研平台产能扩张，传统窄波段光刻胶 + 旋涂工艺的缺陷持续凸显：异形基材涂覆不均、厚胶底部曝光不足、驻波缺陷、耗材浪费、工序复杂、良率偏低等痛点制约产线升级。

我司深耕光刻胶材料研发，打造全谱 / G 线 / I 线全品类光刻胶矩阵，深度适配超声波喷涂工艺，针对性解决硅片、介电陶瓷等复杂基材的厚胶、高深宽比、无 BARC 简化制程需求，覆盖量产工厂、科研院所、封装产线全层级客户，实现进口胶高效国产替代，兼顾成本、良率与工艺兼容性。

一、全品类光刻胶技术体系，覆盖全波段、全应用赛道

（一）按显影原理：正 / 负胶双路线，匹配不同图形需求

1. 正性光刻胶
曝光区域感光分解、显影溶解，成型图形与掩膜完全一致；分辨率高、图形边缘陡直、线宽粗糙度优异，适配≤130nm 逻辑芯片、精密 MEMS、微流控、精细线路蚀刻 / 电镀工艺，是高精度微纳加工首选。
2. 负性光刻胶
曝光区域分子交联成网状结构，未曝光区被溶解；抗刻蚀、基材附着力极强，适配大面积厚胶、剥离工艺、强酸强碱电镀场景，广泛用于功率器件、封装凸点、金属线路制备。

（二）按曝光波长：从宽谱到 EUV 全覆盖，适配国内存量光刻机

国内产线、实验室存量设备以无窄带滤光片宽谱汞灯、G/I 线接触式光刻机为主，我司全谱光刻胶完美适配存量设备，无需改造硬件，大幅降低设备投入成本：

（三）按应用领域：四大赛道专用配方，针对性优化性能

1. 半导体光刻胶（核心产品线）
全波段全覆盖，超高纯度杂质管控；适配硅片、结构化沟槽、深孔、V 型槽基材；支持 65nm~ 微米级全制程，覆盖功率芯片、传感、先进重构层封装。
2. 显示面板光刻胶
中等技术门槛，高透明、高色域配方，适配 LCD/OLED 彩色滤光片、阵列、触控像素制备。
3. PCB 光刻胶
干膜 / 液态湿膜双方案，适配 50‑100μm 粗线路，兼顾大批量量产与中小批量柔性打样。
4. 特种光刻胶（差异化核心竞争力）
厚胶 MEMS 胶、耐高温光敏 PI、剥离专用胶、陶瓷专用适配胶；支持＞100μm 超厚膜、高纵横比、生物相容、耐高低温特殊工况，填补国内特种微纳加工材料空白。

二、核心主推：全谱光刻胶 + 超声波喷涂成套工艺，解决行业核心痛点

1. 全谱光刻胶：存量汞灯光刻机标配，三大不可替代优势

全谱胶采用混合型 PAC 宽吸收结构，350‑450nm 紫外光谱吸收均匀，不局限单一波长，是接触 / 接近式光刻机通用标配：

• 设备零改造成本：无需加装窄带滤光片，匹配主流实验室、封装厂设备，直接替换原有 G/I 线胶；
• 天然抑制驻波效应：硅片、陶瓷反光基底无需涂布 BARC 抗反射层，减少一道工艺、降低耗材与工时，侧壁平滑无波浪缺陷；
• 厚胶深层充分曝光：5‑20μm 超厚胶工艺下，光线穿透性强，沟槽、台阶底部感光完整，成型垂直陡直侧壁，满足高深宽比器件需求；
• 科研多场景兼容：单台光刻机可兼顾上百种试样、多课题组差异化需求，换料便捷、通用性强。

2. 两大核心基材定制化工艺方案

方案一：介电陶瓷基材专用成套方案（射频滤波器 / 陶瓷 MEMS / 陶瓷封装）

传统旋涂加工陶瓷存在三大致命缺陷：微孔吸胶、反光驻波、异形阶梯漏涂，直接导致器件漏电、图形锯齿、良率暴跌。
全谱光刻胶 + 超声喷涂完美破局：

1. 超声雾化低压喷涂，无高速离心冲击，胶液不会渗入陶瓷微孔，杜绝底层缺胶、显影残留；
2. 宽谱吸收弱化陶瓷杂乱反光，省去 BARC 涂层，简化陶瓷器件工艺流程；
3. 凹槽、盲孔、异形曲面均匀上胶，无顶部堆胶、台阶薄边缺陷，稳定制备 5μm 以上厚胶垂直结构；
4. 适配科研多配方陶瓷、中小批量封装产线，清洗换料快，兼容多品类试样打样。

方案二：结构化硅片专用方案（MEMS / 功率芯片 / 先进封装）

硅片深沟槽、V 型槽、重构层深孔使用旋涂极易出现底部缺胶、气泡针孔、膜厚极差大，大批量量产一致性差。
搭配超声喷涂全谱胶优势：无离心力干扰，微结构全覆盖，无漏涂、无气泡；可稳定制备 5‑20μm 致密厚胶，抗驻波简化制程；兼容多尺寸硅片，换产速度快，适配行业结构迭代快、批量需求大的特点。

3. 落地成熟工艺验证

全谱宽谱胶已完成陶瓷射频器件量产验证，5‑20μm 厚胶侧壁垂直度达标，有效提升生产良率；G 线规格胶完成功率器件产线批量验证，耗材成本得到优化，图形均匀性表现优异。

三、标准化选型体系，快速匹配客户个性化工艺需求

我们搭建标准化选型问卷，7 大维度精准匹配光刻胶配方，无需反复工艺试错，缩短客户导入周期：

1. 胶型：高精度图形选用正胶；剥离、强腐蚀工况选用负胶；
2. 曝光光源：宽谱汞灯选用全谱适配配方；I 线高精度场景选用高分辨率配方；G 线成熟量产选用通用成熟配方；
3. 精度线宽：＞2μm 通用加工选用通用款；0.5‑2μm 精密图形选用高分辨率款；＜0.5μm 可提供高端定制系列；
4. 干膜厚度：1‑5μm 薄胶选用标准粘度配方；10‑20μm 超厚膜选用高固含规格；
5. 后续工艺：电镀选用耐酸碱加厚配方；刻蚀匹配高抗刻蚀比配方；剥离工艺选用剥离专用配方；
6. 基材材质：硅片、陶瓷、玻璃、PI 膜分基材优化附着力，按需配套底涂处理工艺；
7. 特殊需求：倒梯形图形、低颗粒、耐高温、高纵横比均可提供专属定制配方。

四、完善产品矩阵，全规格覆盖，实现进口方案平替

1. 自研标准化命名逻辑

按照感光极性‑极限分辨率‑应用场景进行产品区分，场景覆盖先进制程、逻辑芯片、存储芯片、功率器件、MEMS、通用成熟制程，可依据实际工艺快速选型。

2. 核心量产光刻胶产品分类

正性光刻胶（主流量产）

• 全谱通用款：极限分辨率 800nm，兼顾薄胶与 5‑20μm 厚胶双粘度规格，适配绝大多数宽谱曝光场景；
• I 线高精度款：极限分辨率 500nm，面向薄胶精密线路加工；
• 高对比度款：极限分辨率 400nm，适配微型传感类器件。

负性光刻胶（特种工艺）

• 剥离工艺专用款，适配金属剥离制程；
• 超厚耐强腐蚀款，面向电镀、金属强腐蚀场景；
• 精细图形负胶，用于小型分立器件图形化。

功能特种胶

• 非光敏聚酰亚胺：具备抗折弯特性，用作封装绝缘保护层；
• 光敏聚酰亚胺：耐高温，适配高温器件封装图形化。

3. 配套物料与技术支持

提供全套产品工艺参数文档，同步配套超声波喷涂工艺参数指导，从胶料选型、涂覆、曝光、显影全流程提供工艺调试支持，助力客户快速实现批量量产替代。

五、为什么选择我们的光刻胶解决方案？三大核心价值

1. 材料 + 工艺成套优势，差异化竞争力
市面多数光刻胶厂商仅供应胶料，我们同步匹配超声波喷涂工艺方案，针对陶瓷、结构化硅片做行业独有优化，解决传统旋涂无法攻克的厚胶、异形基材痛点，形成独家成套交付能力。
2. 国产高性价比，实现进口方案替代
性能对标海外主流光刻胶方案，供货周期稳定，无断供风险，耗材综合成本得到优化；严苛生产管控保障批次一致性，兼顾实验室研发与大批量工业产线。
3. 全链条技术服务，降低客户试错成本
售前标准化选型快速匹配配方；售中提供完整工艺参数、试样打样；售后提供工艺调试，针对陶瓷、MEMS、先进封装细分行业定制专属工艺方案。

携手国产微纳制造，共建光刻材料自主供应链

从高校科研微纳实验室，到功率半导体、射频陶瓷、先进封装量产产线，我们以全谱系光刻胶产品、适配超声喷涂的成套工艺方案，持续助力国内微电子制造产业链自主可控。

如需获取产品规格书、工艺案例、试样测试，可在线留言或联系技术工程师 13372540303，我们将第一时间为您提供定制化光刻胶工艺解决方案。