基于聚酰亚胺的高导热石墨膜材料研究进展
基于聚酰亚胺的高导热石墨膜材料研究进展 近年来，随着电子设备不断向小型化、轻量化方向发展，高导热石墨膜材料逐渐成为研究热点。本文系统综述了以聚酰亚胺（PI）为基材的石墨膜材料制备方法，重点分析了影响石墨膜性能的关键因素，包括分子结构、分子取向及其他材料的诱导效应等，并概述了石墨膜复合材料的研究进展与相关专利情况，最后对该领域未来的研究方向提出了建议与展望。 在科技高速发展的推动下，电子信息产品日益结构紧凑、性能高效，普遍面临发热量大、芯片耐热性有限以及散热不足等问题。热量积聚会严重影响电子器件的运行稳定性与寿命。为解决上述问题，研究人员开发出一系列以高导热、轻质碳基材料为主的散热材料。其中，石墨膜因其优异的导电性、导热性和轻薄特性，在微电子封装与集成领域展现出显著优势。 聚酰亚胺（PI）作为一种特种工程材料，广泛应用于航空、航天及微电子等领域，被誉为“解决问题的能手”。早在20世纪70年代，已有研究者将PI薄膜在2800–3200 ℃高温下处理，获得了高取向石墨膜。此后，众多学者对PI膜的碳化-石墨化行为及其机理展开了深入研究。尽管以PI为基膜制备的石墨膜在性能上优于多数导热材料，但仍存在导热性能有待提升、耐弯折性差等问题。为此，研究者进一步探讨了影响石墨膜性能的关键因素，并针对其导热、导电等单一性能的提升进行了深入研究。我国在PI基石墨膜领域的研究起步相对较晚，但近年来在学术探索与专利布局方面均取得了显著进展。本文旨在系统总结以PI为基膜制备高导热石墨膜的相关研究。 石墨膜的制备路径 [...]
