晶圆表面清洗基础与兆声清洗晶圆技术
晶圆表面清洗基础与兆声清洗晶圆技术 在硅晶圆进入CMOS制造流程前,对其表面进行彻底清洁至关重要,需去除粘附颗粒、有机/无机杂质以及天然氧化层。随着芯片设计持续微缩,清洗技术对保障产品良率的作用日益凸显。现代半导体制造中,清洗步骤占比可达整个流程的30%~40%,其发展历程深厚,相关技术基础可参考该领域经典研究文献。 晶圆表面污染物形态多样,包括吸附离子、元素、薄膜、离散颗粒、颗粒簇及吸附气体等。 一、颗粒污染 颗粒污染源广泛,如环境粉尘、设备磨损、工艺化学品、气体管线、晶圆搬运、气相沉积以及人员活动。即使是纳米级颗粒也可能引发“致命”缺陷:或遮挡关键图形结构形成(导致图形、特征缺陷或注入问题),或在绝缘层中形成局部电弱点。通常,颗粒尺寸远小于特征尺寸时即可能造成致命缺陷。 [...]


