氧化铝金属化陶瓷基板制备

氧化铝金属化陶瓷基板制备 : 从工艺优化到性能突破

一、电力电子领域的核心需求与材料革新

随着 5G 通信、新能源汽车、工业自动化等技术的飞速发展,电力电子器件正朝着高频化、集成化、高功率密度方向演进。作为器件核心载体的电路基板,需要同时满足低信号损耗、高散热效率、强机械稳定性等严苛要求。传统树脂基板在介电性能和耐高温性上的局限日益凸显,而氧化铝陶瓷凭借9-10 的介电常数、>15kV/mm 的介电强度以及160-200W/(m・K) 的热导率,成为功率模块、射频器件的首选基板材料。

然而,氧化铝陶瓷与金属的直接焊接存在天然障碍,必须通过表面金属化技术构建连接桥梁。这一过程面临多重挑战:烧结收缩率差异导致的基板翘曲(曲率半径<200mm 时影响电路精度)、界面结合力不足引发的金属层脱落(拉力<5N/mm 时可靠性骤降),以及高温共烧过程中出现的气泡、分层等缺陷。攻克这些技术难点,成为推动高端电子封装发展的关键突破口。

氧化铝金属化陶瓷基板制备 - 表面处理:化学镀镍金

二、技术路线与核心目标

(一)研究方向聚焦
本文围绕流延成型 – 高温共烧工艺展开研究,通过优化粉体特性、流延参数及共烧制度,制备具备以下性能的氧化铝金属化基板:
几何精度:翘曲度≤0.3%(100mm×100mm 基板)
结合强度:金属 – 陶瓷界面拉力≥15N/mm(ASTM D3330 标准)
电学性能:绝缘电阻>10¹³Ω・cm(室温),介电损耗<0.002(1MHz)

(二)产业应用价值
该技术成果可广泛应用于:
新能源汽车:电机控制器基板,承受 800V 高压与 200℃高温环境
5G 基站:射频模块载体,支持 28GHz 以上高频信号传输
工业控制:高功率 IGBT 模块封装,提升设备可靠性 30% 以上

三、全流程制备工艺详解

3.1 原料体系优化设计
(1)陶瓷基体材料
氧化铝粉体:选用纯度≥96% 的 α-Al₂O₃粉末,平均粒径控制在 1-3μm(D50=2.5μm),通过激光粒度仪(测试范围 0.01-2000μm)筛选窄分布粉体,降低烧结收缩率波动(目标≤12%)。
配方改良:添加 1-3%(质量比)的 MgO-SiO₂复合烧结助剂,在 1550℃形成液相促进颗粒重排,致密度可达 98% 以上。
(2)金属化浆料
导电相选择:银浆(纯度≥99.9%,粒径 5-10μm)适用于高频场景(损耗<0.1dB/cm),铜浆(粒径 10-20μm)适配高功率环境(导热系数提升 20%)。
载体体系:采用乙基纤维素(EC)- 松油醇溶剂体系,粘度控制在 8000-12000mPa・s(25℃,旋转粘度计测量),确保丝网印刷时线条分辨率≤50μm。

3.2 流延成型关键技术
(1)浆料制备工艺
混合工艺:氧化铝粉末与粘结剂(5-8% PVB)、增塑剂(3-5% DBP)、溶剂(二甲苯:乙醇 = 7:3)通过行星球磨(转速 300rpm,时间 12h)实现均匀分散,脱泡处理(真空度 – 0.09MPa,时间 30min)消除气泡缺陷。
流延参数:
– 刮刀高度:100-300μm,生瓷带厚度误差 ±2%
– 流延速度:0.5-1.5m/min,表面粗糙度 Ra≤1μm
– 烘干温度:40-60℃,溶剂残留量<1%

(2)生瓷带性能指标
厚度:50-200μm(支持 0.1mm 以下超薄基板制备)
柔韧性:弯曲半径≤10mm 无裂纹,满足叠片工艺需求

3.3 金属化图案构建
(1)丝网印刷工艺
网版选择:200-300 目不锈钢网,乳胶厚度 15-25μm,实现线宽 / 线距≥100μm 的精细图案印刷。
印刷参数:刮刀压力 5-10N/cm,角度 45-60°,确保浆料转移率>90%,边缘粗糙度<10μm。
(2)多层叠合技术
对准精度:采用视觉对位系统(精度 ±5μm),解决 0.1mm 以下超薄生瓷带的层间偏移问题。
热压工艺:温度 80-120℃,压力 5-10MPa,时间 10-20min,形成无分层的叠层坯体(密度≥90% 理论密度)。

3.4 高温共烧工艺控制
(1)排胶阶段
升温速率:1-3℃/min(<600℃),停留时间 2-4h,确保有机物(粘结剂 / 增塑剂)完全分解,避免残留碳污染陶瓷基体。
(2)共烧阶段
烧结温度:1550-1600℃(银浆体系)/1000-1100℃(铜浆体系,需氢气保护气氛)
保温时间:2-3h,通过热重 – 差热分析(TG-DTA)确定最佳致密化窗口,致密度提升至 98.5% 以上。
气氛控制:铜浆烧结采用 N₂-H₂混合气体(H₂含量 5-10%),抑制铜氧化(氧化率<0.5%)。

3.5 后处理工艺
机械加工:精密磨削(砂轮粒度 1000#)实现表面粗糙度 Ra≤0.2μm,激光切割(精度 ±25μm)满足复杂外形需求。
表面处理:化学镀镍金(Ni 层 5-8μm,Au 层 0.1-0.3μm)提升可焊性,盐雾测试(5% NaCl,24h)后腐蚀速率<0.01mm/year。

四、关键设备配置与性能检测

(1)核心制造设备
流延机:精密厚度控制,刮刀高度调节精度 ±1μm
等静压机:均匀压力加载,压力范围 0-300MPa
烧结炉:温场均匀性,温度波动 ±5℃(1600℃段)
丝网印刷机:高精度对位,重复定位精度 ±10μm

(2)检测设备配置
微观分析:扫描电镜(SEM,分辨率≤5nm)观察界面结合状态
力学测试:万能材料试验机(量程 0-500N)检测焊接拉力
电学测量:高阻计(10¹⁷Ω 量程)测试绝缘电阻,矢量网络分析仪(10MHz-40GHz)测量介电损耗

五、工艺难点与解决方案

(1)界面结合力不足
成因:粉体杂质(Fe₂O₃>0.1%)导致界面化学反应受阻,金属浆料粒度匹配度差(与陶瓷粉体粒径比>3:1 时易分层)。
对策:原料纯度提升至 99% 以上,采用喷雾造粒技术制备复合粉体(金属粉包覆 Al₂O₃核壳结构),结合强度可提升至 20N/mm。

(2)基板翘曲变形
成因:烧结温度不均(温差>10℃)引发收缩不一致,生瓷带厚度公差>5% 时应力集中。
对策:引入红外测温环(精度 ±2℃)实时监控温场,流延机配备自动纠偏系统(厚度公差控制在 ±1.5%),翘曲度可降至 0.2% 以下。

(3)共烧气泡缺陷
成因:排胶不彻底(残留有机物>0.5%),烧结升温速率过快(>5℃/min)导致气体滞留。
对策:增加阶梯式排胶程序(300℃、500℃、700℃分段保温),真空烧结(压力<10⁻³Pa)促进气体排出,气泡率控制在 1% 以内。

六、技术创新与产业优势

(1)工艺创新点
高效流延技术:通过优化刮刀角度(30-45°)与烘干气流(风速 2-3m/s),生产效率提升 40%,适合 0.1-1.0mm 厚度基板的规模化制造。
梯度共烧工艺:采用分段升温(1000-1300℃保温 1h 促进界面反应,1300-1600℃快速致密化),共烧时间缩短 30%,机加工效率提升 50%。

(2)产业应用优势
成本优势:流延法材料利用率>90%,较干压成型降低 20% 原料损耗
性能优势:与传统厚膜工艺相比,介电损耗降低 15%,热循环寿命(-55℃~125℃)提升 2 倍

七、发展趋势与展望

随着第三代半导体材料(SiC、GaN)的普及,氧化铝陶瓷基板正朝着 ** 超薄化(<0.2mm)、高集成(层数>20 层)、多功能化(散热 – 绝缘 – 屏蔽一体化)

** 方向发展。未来需重点突破:
纳米复合浆料制备技术(金属粉粒径<50nm,提升导电率 10%)
数字孪生工艺模拟(预测烧结变形误差<0.1%)
环保型水基浆料开发(VOC 排放降低 90%)
通过持续优化材料配方与工艺参数,氧化铝陶瓷金属化基板将在高端电子封装领域发挥更关键的作用,助力我国功率电子器件实现自主可控。

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