针对MEMS器件与光刻工艺，超声喷涂技术可沉积厚度可控、均匀一致的光刻胶薄膜。旋涂工艺经常在台阶结构与侧壁产生积液、条纹、膜厚衰减等缺陷；超声喷涂能够在带有深槽、高深宽比结构的图形化晶圆上均匀成膜，达成旋涂工艺难以实现的薄膜一致性。

高频超声喷嘴（常用120 kHz或180 kHz）形成细密雾化微液滴，平缓附着于晶圆表面，制备均匀、工艺重复性佳的涂层。超声振动还可促使涂布液内纳米颗粒解团聚，避免颗粒聚集结块，保障纳米颗粒在光刻胶或介电层中充分发挥设计性能。最终实现复杂形貌结构上精准的膜厚管控，让MEMS以及各类晶圆级光刻工艺维持稳定的光刻效果。

超声涂层系统可制备无针孔聚酰亚胺介电薄膜，膜厚可调区间覆盖亚微米至数微米，拥有优异的台阶覆盖能力与整片晶圆均匀性。低速喷涂工艺提升膜层附着力、材料利用率以及工艺重复性，是半导体晶圆制造中介电绝缘层制备的理想方案。

该涂布工艺具备溶剂兼容性，可顺畅对接洁净室底涂处理、固化整套工序，为晶圆级封装、层间绝缘提供长效稳定的介电性能。

晶圆裂片加工前，可通过超声喷涂制备低缺陷临时保护膜，对晶圆表面形成防护。温和的非接触喷涂方式形成均匀且附着牢固的膜层，有效减少崩边、裂纹与颗粒污染；后续薄膜可完整剥离，保障后段工序维持较高良率。

该类保护膜适配硅晶圆、陶瓷晶圆以及化合物半导体晶圆，增强基材防护能力、降低表面损伤，保障半导体封装产线持续稳定产出高品质成品。