什么是晶圆级封装 ？
传统芯片制造流程中，芯片先在晶圆上制造，然后切割成单个芯片进行封装。晶圆级封装 (WLP) 则不同，它将封装步骤提前到晶圆制造阶段，直接在整片晶圆上完成封装，省去了切割后再单独封装的环节。
WLP 核心流程如下（具体工艺因应用而异）：
1. 晶圆制造： 完成集成电路制造。
2. 重新布线与凸点制备： 在晶圆表面形成额外的金属层（重新布线层，RDL），创建导电路径和通孔，确保每个芯片单元能有效连接外部电路。随后制备铜凸点。
3. 保护层涂覆： 涂覆一层保护树脂，提供物理防护和电绝缘。
4. 植球： 在芯片单元的接触点上植入锡球引脚，用于后续组装时的电气连接。
5. 切割： 将完成封装的整片晶圆切割成单个芯片。
与传统封装的关键差异：
● 传统流程：先切割晶圆，再对单个芯片封装测试，封装后尺寸通常增大约20%。
● WLP流程：先在整片晶圆上进行封装和测试，最后切割。封装后芯片尺寸几乎与裸片相同。
WLP 的核心优势：
● 封装尺寸显著减小，接近裸片大小。
● 集成度更高。
● 生产效率提升：晶圆级并行处理可大幅降低生产成本和时间。
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