CSP-Nui90D正性光刻胶

CSP-Nui90D正性光刻胶 是专为超声波喷涂工艺定制的 3μm 厚膜正性光刻胶，完美适配 4 寸硅基底晶圆，具备极致膜厚均匀性、宽曝光窗口、优异图形分辨率与台阶覆盖能力，解决传统旋涂耗材浪费、3D 结构涂覆不均痛点，广泛用于 MEMS、微纳加工、半导体晶圆、传感器研发与量产。

核心五大卖点

1、超高膜厚均匀性，量产良率稳定
4 寸 Si 基底超声波喷涂后膜厚区间 3.0297~3.0352μm，平均 3.0322μm，均匀度 ±0.1%，标准差仅 0.00189μm，无边缘堆胶、咖啡环缺陷，25 个测试点位全部达标，批量生产一致性强。

2、适配超声波喷涂，大幅节省胶料成本
专属配方匹配超声雾化喷涂，相比旋涂胶利用率提升 90% 以上，完美覆盖高深宽比沟槽、TSV 硅通孔侧壁与底部，解决旋涂孔底缺胶、台阶覆盖差问题，适配不规则、大尺寸基材涂覆。

3、宽曝光窗口，工艺容错率高
适配 Nikon stepper i10 步进机，曝光区间 460~580ms 稳定出图；支持 2/2μm、5/5μm 线宽线距图形，DOF 景深范围大，对焦波动不影响图形成型，降低产线调试难度。

4、精细图形转移，边缘垂直度优异
标准 3μm 膜厚制程下，显影后侧壁垂直、轮廓锐利，无锯齿、残胶，可稳定制备微米级精密线路、通孔、微结构，满足 MEMS、微流控、光学衍射元件高精度制图需求。

5、标准化成熟工艺，上手即用
全套配套成熟工艺参数公开，无需反复调试：100℃/3min 软烘、2.38% TMAH 显影 60s，实验室、中试、量产产线均可直接落地，配套完整技术工艺支持。

标准推荐工艺参数表

膜厚均匀性能指标

应用领域

MEMS 微机电传感器、加速度传感器、压力传感器光刻制图
硅基微流控芯片、微透镜阵列、衍射光学元件加工
4 寸晶圆实验室研发、中小批量半导体试样制程
TSV 硅通孔、3D 微结构高深宽比图形制备
高校实验室、科研院所微纳光刻实验

产品优势对比

市面多数厚膜光刻胶仅适配旋涂，本品专为超声波喷涂定制，3D 结构台阶覆盖碾压传统旋涂胶；
国产自主配方，供货稳定，交期短，相比进口同类型超声光刻胶性价比更高；
完整公开工艺参数，提供免费试样、现场工艺调试技术支持；
3μm 标准厚膜，均匀度控制 ±0.1%，同类国产胶均匀度普遍 ±0.3% 以上。

采购服务说明

支持小样试样、批量采购，可按需定制分装规格；
附赠完整工艺手册、膜厚 / 曝光参考数据；
配套技术工程师远程 / 上门工艺调试指导；
全程仓储冷链包装，避光密封运输，保障光刻胶感光性能稳定。

FAQ

Q1：这款光刻胶只能用超声波喷涂吗？
A：核心适配超声波喷涂工艺，也可兼容旋涂，但超声喷涂可发挥其均匀性、高利用率核心优势。
Q2：适配多大尺寸硅片？
A：基准测试 4 寸 Si 基底，可适配 2/3/4 寸硅片、玻璃、陶瓷基材。
Q3：显影液需要单独采购吗？
A：通用 2.38% TMAH 显影液即可，市面常规显影液均可匹配，无需专用药剂。