PEM燃料电池膜电极制备技术 膜电极是多相物质传输和电化学反应的场所，决定了质子交换膜燃料电池的性能、寿命和成本。膜电极与其两侧的双极板组成了燃料电池的基本单元—燃料电池单电池。在实际应用当中可以根据设计的需要将多个单电池组合成为燃料电池电堆以满足不同大小功率输出的需要。 MEA结构设计和优化、材料的选择和制备工艺的优化一直是PEMFC研究的技术关键。在PEMFC发展进程中，膜电极技术经历了几代革新，大体上可以分为热压法、CCM法和有序化膜电极三种类型。下文将分析介绍三种类型MEA优缺点及最新研究进展。 1、GDE热压法膜电极 第一代MEA制备技术是采用热压法，在PEM两侧压制涂覆了CL的阴极和阳极GDL得到MEA，这种MEA称之为“GDE”结构。 [...]

心血管医疗器械发展的新趋势 一直以来，心血管疾病（CVD）都是医疗行业的主要痛点。中风或IHD（局部缺血性心脏病）等病症在全球范围导致了大量病亡及后遗症。因此，心血管医疗器械及其在心脏相关治疗中的作用日益受到关注。 CVD导致的死亡人数多年来持续上升。美国心脏病学院期刊的一项研究重点回顾了三十年来CVD发病规模，结果显示在2019年全球所有死亡原因中，心血管疾病的占比近三分之一。 这些令人忧心的统计数据显示，全球都亟需更低成本的医疗计划和治疗方法以缓解CVD的风险带来的多种压力。在此过程中，非常重要的一部分是研发更加先进有效的医疗器械。这将促进心血管医疗器械市场规模的大幅增长，根据Global Market [...]

【干货】氢燃料电池用膜电极 膜电极是燃料电池电化学反应的基本单元，目前已经发展出两代成熟的工艺，第一代的膜电极制备工艺主要采用热压法，第二代是催化剂直接涂膜技术，提高了催化剂的利用率，提高了氢离子在催化剂层的扩散和运动，从而提高膜电极的性能，是目前的主流应用技术。 膜电极决定了电堆性能、寿命和成本的上限。 资料显示，膜电极关键零部件包括“质子交换膜”、“催化剂”以及“气体扩散层”，每一个部件都在技术尚未完全突破、原料供应不足等问题上制约着中国市场的普及与发展。 质子交换膜：全氟磺酸型膜为目前主流，复合膜是未来发展方向。全氟磺酸膜：目前常用的商业化质子交换膜。全氟磺酸型膜是目前燃料电池主要采用的膜材料，全球全氟磺酸型膜的供应商集中于日本和欧美国家，其中应用最广泛的是美国杜邦公司的Nafion系列膜。 [...]

手术机器人运动控制的趋势 机器人辅助手术的优势在越来越多的手术领域、越来越多的医院和患者中得到认可。这推动了该行业的增长以及手术机器人中使用技术的提升。一项关键技术是机器人运动控制，但所涉及的组件通常对外界是不可见的，这可能部分解释了为什么它们经常被忽视或误解。然而，它们是安全、平稳和准确的机器人技术的关键组件。 “运动控制”描述了以受控方式移动机器部件的系统和技术。在手术机器人中，这些通常包括运动（或伺服）控制器、电机、齿轮箱和位置反馈传感器。一个常见的应用是驱动机器人手臂的肩关节、肘关节或腕关节。电机、齿轮箱和传感器组件通常被称为执行器，系统有时被称为“伺服”——这只是意味着反馈回路报告实际位置或速度以与命令进行比较。 运动控制并不新鲜，但技术发展迅速，趋势是： 1、数字化 [...]

为什么担心芯片老化 老化会缩短半导体芯片的寿命，使其低于预期应用的需求。 老化在技术界得到了很好的研究，那么衰老背后的物理机制究竟是什么？老化本质上是我们通过晶体管通道驱动电子的速度。只有少数已知会缩短芯片寿命的效应，其中许多都涉及电荷被困在不属于它们的地方。有些可以通过技术改进来缓解，而有些则需要仔细设计和验证。老化模拟已被证明对设计师有很大帮助，但没有快速简便的解决方案。最终，随着系统老化，片内监控有助于密切关注现场系统。 电路老化一直存在。然而，在过去，硅和其他材料可以做的事情有更多的余地和更少的限制。老化效应和降解机制在理论上一直存在。我们开始看到的是它们在高性能应用程序中的广泛表现，例如数据中心。大型超大规模企业正在报告他们不习惯看到的计算故障和随机缺陷。预计，随着设计的缩小、技术节点的进步以及性能和可靠性要求的激增，这一趋势将会增加。 过去，由于老化导致的设备故障可能会在芯片的预期寿命之后很久才出现——如果有的话。然而，随着节点越来越激进，材料的推动力越来越大，出错的空间也越来越小。老化可能发生得更快，如果处理不当，设备的预期寿命甚至比其预期系统的寿命更短。 [...]

半导体封装市场 半导体封装市场 - 超声波热解喷涂机 - [...]

二维材料用于晶体管 二维材料，晶体管的必然选择？ 二维材料，亦可称为纳米薄片，在自从石墨烯(graphene)以人为的方法制作出来后，因其有绝佳的导电及导热特性，深受产业应用的关注。电子在二维材料中运动，因为少了另一维度运动所造成的碰撞，因此在电场的作用下，可以有较快的移动速度，而提高导电率。但是石墨烯本身属于类金属，缺乏半导体所需的能隙(bandgap)，因此无法使用在晶体管的结构上。 然而材料界的专家并不放弃，在十多年前就开始研究所谓的二硫过渡金属化合物等(TMD，如MoS2、WS2)二维材料，TMD在材料特性上具有能隙，因此可应用在晶体管的制作，当然也有实际晶体管元件的展示。但是我们不禁要问，这些学术界所预计要开发的TMD二维导通层晶体管的计划，是否就有可能为产业界于下一世代次纳米元件所使用？ 硅基(Si)晶体管元件，为半导体IC产业的核心，现今最先进的IC都内含了百亿颗的晶体管。换言之，任何一个新进晶体管的创新发展，必须要能够通过百亿颗晶体管集成度的挑战，这包括了良率及可靠度等，也就是现实的世界里须面对一个超高难度的进入障碍，否则就没有太大的意义，因为无法解决产业所面临的问题。 [...]

半导体行业的繁荣期要结束了 芯片需求已减弱 制造商还在疯狂扩产：半导体行业的繁荣期要结束了？ 据报道，很长一段时间以来，半导体行业一直在蓬勃发展和糟糕的衰退这一循环中不断摇摆。但是现在，该行业有信心击败过去的模式，让他们的快速发展期变得更长久一些。2021年中，半导体行业的销售额大涨了26.2%，达到了5559亿美元的历史新高。该行业希望将创纪录的资金投入到新的制造工厂中，这些工厂也被称为晶圆厂。 世界上最大的合同芯片制造商台积电准备在今年再投入440亿美元以扩大产能。同样，英特尔也计划进行总投资高达1000亿美元的多年期扩张，建造该行业有史以来最大的工厂。 [...]

碳化硅半导体 碳化硅半导体，是新近发展的宽禁带半导体的核心材料，以其制作的器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积，主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、“新基建”为代表的电力电子领域，在民用、军用领域均具有明确且可观的市场前景。我国“十四五”规划已将碳化硅半导体纳入重点支持领域，随着国家“新基建”战略的实施，碳化硅半导体将在5G基站建设、特高压、城际高速铁路和城市轨道交通、新能源汽车充电桩、大数据中心等新基建领域发挥重要作用。因此，以碳化硅为代表的宽禁带半导体是面向经济主战场、面向国家重大需求的战略性行业。 碳化硅在制造射频器件、功率器件等领域具有明显优势。但是在射频器件、功率器件领域，碳化硅衬底的市场应用瓶颈为其较高的生产成本。影响碳化硅衬底成本的制约性因素在于生产速率慢、产品良率低，主要系：目前主流商用的PVT 法晶体生长速度慢、缺陷控制难度大。相较于成熟的硅片制造工艺，碳化硅衬底短期内依然较为高昂。例如，目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与因碳化硅器件的优越性能带来的综合成本下降之间的关系，短期内一定程度上限制了碳化硅器件的渗透率，其成本高限制了其在下端市场的应用场景以及市场渗透。 免责说明：我们对文中观点保持中立，仅供参考、交流之目的，如涉及到版权等问题，请联系我们进行删除处理，谢谢！ [...]

什么是蚀刻工艺 蚀刻是一种利用化学强酸腐蚀、机械抛光或电化学电解对物体表面进行处理的技术。除了增强美感之外，它还增加了对象的附加值。从传统的金属加工到高科技半导体制造，都在蚀刻技术的应用范围之内。 蚀刻工艺 根据金属的种类，蚀刻工艺会有所不同，但一般蚀刻工艺如下：金属蚀刻板→清洗脱脂→水洗→烘干→覆膜或丝印油墨→烘干→曝光制图→显影→水洗干燥→蚀刻→脱膜→干燥→检验→成品包装。 1. [...]